5100–5300 MHz kohandatud 50 W GAN kõrgsagedusliku raadiosagedusliku võimsusvõimendi moodul

I. Toote positsioneerimine: tuuma võimenduskomponent, mis on keskendunud ühilduvatele kõrge{1}}sagedusribadele

See moodul on suure jõudlusega-RF-võimsusvõimendi südamikseade, mis on spetsiaalselt loodud ühilduva 5100-5300 MHz sagedusala jaoks. Tööstus- ja infotehnoloogiaministeerium on selle sagedusala selgelt määranud siseruumide lairiba traadita juurdepääsu, traadita kohtvõrgu ja muude sidesüsteemide jaoks. Samuti on see tugevas korrelatsioonis satelliitvastuvõtuseadmete kohaliku ostsillaatori sagedusega (5150 MHz) ja radarisüsteemide laiendatud sagedusribaga (5300–5500 MHz). Täpse signaalivõimsuse võimenduse abil võib see märkimisväärselt parandada sidesüsteemide katvust ja signaali stabiilsust, pakkudes põhitoitetuge 5G siseruumide leviala, professionaalse traadita side ja muude stsenaariumide jaoks. II. Põhitehnoloogia: GaN võimaldab kõrgsagedusliku jõudluse läbimurret
Kasutades ränikarbiidil{0}}põhist galliumnitriidi (SiC-GaN) tehnoloogiat, saavutab see sagedusalas üle 5 GHz tavapäraste LDMOS-seadmetega võrreldes kolm suurt jõudlushüpet:
* **Kõrge-sagedusefektiivsuse ja võimsustiheduse eelised:** GaN-materjali ribalaius on 3,4 eV (räni on ainult 1,1 eV), mis saavutab 51% võimsuse -lisandefektiivsuse (PAE) 5100–5300 MHz sagedusriba 10-10 sagedusega 10% seadmetes. bänd. Stabiilse 50 W väljundiga vähendatakse mooduli suurust 40%, mis vastab ideaalselt miniatuursete seadmete vajadustele.
* **Lairiba lineaarsus ja häiretevastane{0}}võime:** integreeritud adaptiivse digitaalse eelmoonutuse (ADPD) tehnoloogia optimeerib lineaarsuse alla -50 dBc 100 MHz hetkelise ribalaiuse piires. Koos 50{11}}oomise standardse impedantsi sobituskonstruktsiooniga summutab see tõhusalt kõrvalkanalite häireid, vältides signaali häireid välisseadmetele (nt satelliitvastuvõtjatele). Äärmiselt keskkonnasõbralik disain: kasutades täielikult metallist õõnsuspaketti ja ühendatud soojuse hajumise struktuuri, on soojustakistus nii madal kui 0,7 kraadi / W, mis võimaldab stabiilset tööd laias temperatuurivahemikus -40 kraadi kuni 70 kraadi. Sisseehitatud ülevoolu-, ületemperatuuri- ja VSWR-kaitseahelad käivitavad automaatselt võimsuse nõrgenemise, kui VSWR ületab 2,0:1, saavutades MTTF-i (keskmine tõrkeaeg) 10⁷ tundi.